DRAM進(jìn)入到10nm制程時(shí)代以來，已從1x、1y、1z、1α演進(jìn)到1β(第五代)。三星、SK海力士、美光在去年完成了1β的研發(fā)，現(xiàn)在正陸續(xù)量產(chǎn)1β DRAM產(chǎn)品。被寄予厚望的三星第六代1c 制程的DRAM也將于1至2年內(nèi)量產(chǎn)。
 

    2023年AI服務(wù)器迅猛增長也帶動HBM、DDR5需求增加。各大原廠為了滿足市場需求，正加快先進(jìn)DRAM產(chǎn)品推出速度。隨著支持DDR5第二子代內(nèi)存產(chǎn)品的主流服務(wù)器CPU上市，今年下半年5,600 MT/S速率將進(jìn)入主流市場。
 

    AI服務(wù)器也推動了128GB/256GB內(nèi)存模組的需求，這些高容量模組又受限于封測廠的TSV產(chǎn)能。所幸的是，存儲原廠將在今年內(nèi)推出32Gb單Die，使得128GB內(nèi)存模組無需采用TSV工藝，將推動128GB產(chǎn)品進(jìn)入服務(wù)器主流市場。此外，今年上半年CXL進(jìn)入了實(shí)用階段、HBM3e開始量產(chǎn)，這也將推動服務(wù)器內(nèi)存大升級。


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