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everspin最新1Gb容量擴(kuò)大MRAM吸引力

2020-02-18 09:11:04

everspin提供了8/16-bit的DDR4-1333MT/s(667MHz)接口,但與較舊的基于DDR3的MRAM組件一樣,時序上的差異使得其難以成為DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取器)的直接替代品。
 
最新的1Gb容量STT-MRAM擴(kuò)大了MRAM的吸引力,但Everspin仍需努力追趕DRAM的存儲密度。
 
低容量的特性,使得MRAM組件更適用于嵌入式系統(tǒng),其中SoC和ASIC可更容易地設(shè)計兼容的DDR控制器。
 
目前行業(yè)內(nèi)已通過MRAM來部分替代DRAM,比如IBM就在去年推出了Flash Core模塊,以及希捷在FMS2017上展示的原型。
 

 
當(dāng)然我們并不指望mram專用存儲設(shè)備可以迅速在市面上普及(SSD或NVDIMM)。畢竟市面上的混合型SSD,仍依賴于NAND閃存作為主要存儲介質(zhì)。
 
作為與格羅方德合作生產(chǎn)的第二款分立型MRAM器件,他們還在GloFo的22nmFD-SOI工藝路線圖中嵌入了MRAM。
 
鑒于該工廠取消了7nm和更低制程的計劃,包括嵌入式內(nèi)存在內(nèi)的特殊工藝對其未來顯然至關(guān)重要。
 
需要指出的是,盡管Everspin不是唯一一家致力于MRAM技術(shù)的公司,但它們卻是分立式MRAM器件的唯一供應(yīng)商。Everspin在磁存儲器設(shè)計,制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無二的。Everspin擁有超過600項(xiàng)有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品組合,在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)(MTJ)STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領(lǐng)先地位。
 
本文關(guān)鍵詞:everspin

上一篇文章:外部SRAM的種類


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