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非易失MRAM是BBSRAM完美替代產品

2022-10-28 09:41:38

MRAM是電池儲備電源SRAM(BBSRAM)理想的替代產品。Everspin MRAM高速非易失性存儲器,使用壽命幾乎無限。所具有的綜合性能是任何其他半導體存儲器件都不能全部擁有的。
 
MRAM這是一種基于隧穿磁阻效應的技術,MRAM所選工藝比現有工藝DRAM和更復雜,成本會更高。但它有現有的SRAM和DRAM沒有的特點,隨著應用規模的逐漸擴大,成本會逐漸降低。
 
磁阻隨機存儲器是一種采用新技術的隨機存儲器。它使用磁致電電阻效應來保存信息,因此它的速度可以和SRAM比,但同時也可和FLASH斷電后還可以保留數據。
 
MRAM技術特點:
不容易丟失:鐵磁體的磁帶不會因為斷電而消失,所以MRAM具有非易失性。
讀寫頻率次數無限:鐵磁體的磁化不僅斷電不會消退,而且幾乎可以認為它永遠不會消失,所以MRAM和DRAM同樣可以無限重寫。
寫入速度快,功耗低:MRAM寫入時間可以低至2.3ns,而且功耗極低,可以實現瞬時開關機,增加便攜機電池的使用時間。
邏輯芯片整合度高:MRAM可以很容易地放入邏輯電路芯片中,只需要在后端金屬化過程中改進一兩個步驟。MRAM可以完全制成芯片的金屬層,甚至可以實現2-3層單元的堆疊,因此在邏輯電路上具有結構規模內存陣列的潛力。
 
MRAM特性較好,但臨界電流強度和功耗仍需進一步降低。MRAM存儲單元規格仍較大,不適合堆疊,工藝復雜,大規模制造難以保證均勻性,存儲容量和產量上坡緩慢。在進一步突破這一過程之前,MRAM商品主要適用于體積要求低的特殊應用領域及其新型IoT嵌入式存儲行業。
 

本文關鍵詞: MRAM,SRAM

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