MR25H40CDC是由EVERSPIN科技公司推出的一款非易失性MRAM存儲芯片，這款串行MRAM是可以兼容兼容串行EEPROM和串行閃存的讀/寫時序，擁有非常出色的耐讀/寫能力，沒有讀/寫操作沒有寫入延遲的問題。
 
MR25H40CDC工作電壓為3.3V,容量為4Mbit與富士通的MB85RQ4ML的容量一致，數(shù)據(jù)位寬8位，工作溫度范圍：-40℃ to +85℃，一款應(yīng)用于工業(yè)級產(chǎn)品的非易失性存儲器。
 
MR25H40CDC采用5 mm x 6 mm 8引腳DFN封裝封裝，并且都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。對于必須通過一小部分I/O引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用，MR25H40CDC可以說是理想的存儲器解決方案。
 
MR25H40CDC已廣泛用在數(shù)據(jù)存儲、工業(yè)自動化、游戲、能源管理、通訊、運輸領(lǐng)域。
 
Everspin科技是開發(fā)和制造獨立式與嵌入式磁性隨機存儲器(MRAM)和集成磁（Integrated Magnetic）傳感器的全球領(lǐng)導(dǎo)業(yè)者。在運算、存儲、工業(yè)和辦公自動化市場，已有越來越多的領(lǐng)導(dǎo)廠商采用Everspin MRAM技術(shù)開發(fā)最先進的產(chǎn)品。英尚微電子代理的Everspin的MRAM技術(shù)具高可靠性、快速讀/寫、即時開啟、非揮發(fā)性、和無限次擦除等特性，現(xiàn)在Everspin的產(chǎn)品組合包括提供BGA和TSOP兩種可選封裝、容量從256Kb 到16Mb 的8位和16位并行I/O產(chǎn)品，以及采用DFN封裝、容量從256Kb到1Mb的串行I/O產(chǎn)品。

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